STMicroelectronics MDmesh M5 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 33 A 190 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

Name: STMicroelectronics MDmesh M5 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 33 A 190 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
Brand: STMICROELECTRONICS

Marke: STMICROELECTRONICS

Hersteller Artikel-Nr.: STB42N65M5

Produkt-Nr.: P-CDDTT7

Technische Daten

Anzahl der Elemente pro Chip: 1mm
Channel-Modus: Enhancement
Channel-Typ: N
Dauer-Drainstrom max.: 33 A
Drain-Source-Spannung max.: 650 V
Drain-Source-Widerstand max.: 79 mΩ
Gate-Schwellenspannung max.: 5V
Gate-Schwellenspannung min.: 3V
Gate-Source Spannung max.: –25 V, +25 V
Höhe: 4.6mm

Produktbeschreibung

N-Kanal MDmesh™ M5-Serie, STMicroelectronics. Die Leistungs-MOSFETs MDmesh M5 sind für Hochleistungs-PFC- und -PWM-Topologien optimiert. Die Hauptmerkmale umfassen geringe Verluste in Durchlassrichtung pro Siliziumfläche und eine geringe Gate-Ladung. Sie wurden für energiebewusste, kompakte und zuverlässige Anwendungen mit harten Schaltvorgängen wie Solarstromrichter, Netzteile für Verbrauchergeräte und elektronische Beleuchtungssteuerungen entwickelt.