STMicroelectronics MDmesh M5 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 12 A 90 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

Name: STMicroelectronics MDmesh M5 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 12 A 90 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
Brand: STMICROELECTRONICS

Marke: STMICROELECTRONICS

Hersteller Artikel-Nr.: STD16N65M5

Produkt-Nr.: P-CGT776

Technische Daten

Channel-Modus: Enhancement
Channel-Typ: N
Dauer-Drainstrom max.: 12 A
Drain-Source-Spannung max.: 650 V
Drain-Source-Widerstand max.: 279 mΩ
Gate-Schwellenspannung max.: 5V
Gate-Schwellenspannung min.: 3V
Gate-Source Spannung max.: –25 V, +25 V
Höhe: 2.4mm
Montage-Typ: SMD

Produktbeschreibung

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 12 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Serie = MDmesh M5
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 279 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Gate-Schwellenspannung min. = 3V
Verlustleistung max. = 90 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = –25 V, +25 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 31 nC @ 10 Vmm
Höhe = 2.4mm

N-Kanal MDmesh™ M5-Serie, STMicroelectronics. Die Leistungs-MOSFETs MDmesh M5 sind für Hochleistungs-PFC- und -PWM-Topologien optimiert. Die Hauptmerkmale umfassen geringe Verluste in Durchlassrichtung pro Siliziumfläche und eine geringe Gate-Ladung. Sie wurden für energiebewusste, kompakte und zuverlässige Anwendungen mit harten Schaltvorgängen wie Solarstromrichter, Netzteile für Verbrauchergeräte und elektronische Beleuchtungssteuerungen entwickelt.