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STMicroelectronics MDmesh M5 N-Kanal, SMD MOSFET 550 V / 13 A 90 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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Marke: STMICROELECTRONICS

Hersteller Artikel-Nr.: STD18N55M5

Produkt-Nr.: P-CDDTVB

Technische Daten

Channel-Modus
Enhancement
Channel-Typ
N
Dauer-Drainstrom max.
13 A
Drain-Source-Spannung max.
550 V
Drain-Source-Widerstand max.
240 mΩ
Gate-Ladung typ. @ Vgs
31 nC @ 10 Vmm
Gate-Schwellenspannung max.
5V
Gate-Schwellenspannung min.
3V
Gate-Source Spannung max.
+25 V
Höhe
2.4mm

Produktbeschreibung

N-Kanal MDmesh™ M5-Serie, STMicroelectronics. Die Leistungs-MOSFETs MDmesh M5 sind für Hochleistungs-PFC- und -PWM-Topologien optimiert. Die Hauptmerkmale umfassen geringe Verluste in Durchlassrichtung pro Siliziumfläche und eine geringe Gate-Ladung. Sie wurden für energiebewusste, kompakte und zuverlässige Anwendungen mit harten Schaltvorgängen wie Solarstromrichter, Netzteile für Verbrauchergeräte und elektronische Beleuchtungssteuerungen entwickelt.

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Kennzeichnungen

Artikeltyp
MOSFET
GTIN
5059042526103