STMicroelectronics MDmesh M2 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 32 A 250 W, 3-Pin TO-247
Technische Daten
- Breite
- 5.15mm
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 32 A
- Diodendurchschlagsspannung
- 1.6V
- Drain-Source-Spannung max.
- 650 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 99 mΩ
- Gate-Schwellenspannung max.
- 4V
- Gate-Schwellenspannung min.
- 2V
- Gate-Source Spannung max.
- –25 V, +25 V
Produktbeschreibung
N-Kanal MDmesh™ M2-Serie, STMicroelectronics. Eine Serie von Hochspannungsleistungs-MOSFETs von STMicroelecronics. Mit ihrer geringen Gate-Ladung und der ausgezeichneten Ausgangskapazität eignet sich die Serie MDmesh M2 perfekt für den Einsatz in Resonanzschaltnetzgeräten (LLC-Wandler).
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059042377170
