STMicroelectronics MDmesh M2 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 26 A 190 W, 3-Pin TO-247
Technische Daten
- Anzahl der Elemente pro Chip
- 1mm
- Betriebstemperatur min.
- -55 °Cmm
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 26 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 650 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 125 mΩ
- Gate-Schwellenspannung max.
- 4V
- Gate-Schwellenspannung min.
- 2V
- Gate-Source Spannung max.
- –25 V, +25 V
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 26 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Serie = MDmesh M2
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 125 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 190 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = –25 V, +25 V
Breite = 5.15mm
Höhe = 20.15mm
N-Kanal MDmesh™ M2-Serie, STMicroelectronics. Eine Serie von Hochspannungsleistungs-MOSFETs von STMicroelecronics. Mit ihrer geringen Gate-Ladung und der ausgezeichneten Ausgangskapazität eignet sich die Serie MDmesh M2 perfekt für den Einsatz in Resonanzschaltnetzgeräten (LLC-Wandler).
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059042034158
