STMicroelectronics MDmesh K5, SuperMESH5 N-Kanal, THT MOSFET 950 V / 12 A 170 W, 3-Pin TO-220
Technische Daten
- Anzahl der Elemente pro Chip
- 1mm
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 12 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 950 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 500 mΩ
- Gate-Schwellenspannung max.
- 5V
- Gate-Schwellenspannung min.
- 3V
- Gate-Source Spannung max.
- -30 V, +30 V
- Gehäusegröße
- TO-220
Produktbeschreibung
N-Kanal MDmesh™ K5-Serie, SuperMESH5™, STMicroelectronics
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059042133172
