STMicroelectronics IGBT / 6 A 600V max. 6-fach, 600 V 12,5 W, 26-Pin N2DIP-26L Typ Z

Dauer-Kollektorstrom max. = 6 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V
Gate-Source Spannung max. = 600V
Anzahl an Transistoren = 6
Gehäusegröße = N2DIP-26L Typ Z
Pinanzahl = 26
Transistor-Konfiguration = Serie

Der STMicroelectronics STGIPQ4C60T-HZ SLLIMM nano - 2. Serie IPM, 3-phasiger Wechselrichter, 6 A, 600 V robuster Kurzschluss-IGBT ist das neuste Design, das aus Gate-Treiber-ICs zusammen mit den IGBT in einer einzigen monolithischen Schaltung besteht. Dies ist äußerst geeignet für Stromkreise mit Lüftern, Kühlschränken, Waschmaschinen, Wechselstrommotoren usw.Mit Unterspannungsschutz Verfügt über Abschaltungs- und Verriegelungsfunktion Verfügt über einen Operationsverstärker für Advanced Current Sensing