STMicroelectronics IGBT / 35 A ±20V max. , 1350 V 416 W, 3-Pin TO-247 Bidirektional-Kanal

Technische Daten

Anzahl an Transistoren

1

Channel-Typ

Bidirektional

Dauer-Kollektorstrom max.

35 A

Gate-Source Spannung max.

±20V

Gehäusegröße

TO-247

Kollektor-Emitter-Spannung

1350 V

Konfiguration

Einfach-Kollektor, Einfach-Emitter, Einfach-Gate

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Verlustleistung max.

416 W