STMicroelectronics IGBT / 120 A ±20V max., 650 V 469 W, 3-Pin TO-3P N-Kanal

Technische Daten

Abmessungen

15.8 x 5 x 20.1mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Channel-Typ

N

Dauer-Kollektorstrom max.

120 A

Gate-Source Spannung max.

±20V

Gehäusegröße

TO-3P

Kollektor-Emitter-Spannung

650 V

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Schaltgeschwindigkeit

1MHz