STMicroelectronics IGBT / 119 A ±20V max. , 650 V 576 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal

Technische Daten

Anzahl an Transistoren

1

Channel-Typ

N

Dauer-Kollektorstrom max.

119 A

Gate-Source Spannung max.

±20V

Gehäusegröße

TO-247

Kollektor-Emitter-Spannung

650 V

Konfiguration

Single

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Verlustleistung max.

576 W