STMicroelectronics IGBT / 119 A ±20V max. , 650 V 576 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal

Name: STMicroelectronics IGBT / 119 A ±20V max. , 650 V 576 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal
Brand: STMICROELECTRONICS

Marke: STMICROELECTRONICS

Hersteller Artikel-Nr.: STGWA50M65DF2AG

Produkt-Nr.: P-CZGXZX

Technische Daten

Channel-Typ: N
Dauer-Kollektorstrom max.: 119 A
Gate-Source Spannung max.: ±20V
Gehäusegröße: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung: 650 V
Montage-Typ: THT
Pinanzahl: 3
Verlustleistung max.: 576 W

Produktbeschreibung

Dauer-Kollektorstrom max. = 119 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Anzahl an Transistoren = 1
Gehäusegröße = TO-247
Montage-Typ = THT
Channel-Typ = N
Pinanzahl = 3

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