STMicroelectronics IGBT / 108 A ±20V max. , 650 V 385 W, 7-Pin H2PAK-7
Technische Daten
- Anzahl an Transistoren
- 1
- Dauer-Kollektorstrom max.
- 108 A
- Gate-Source Spannung max.
- ±20V
- Gehäusegröße
- H2PAK-7
- Kollektor-Emitter-Spannung
- 650 V
- Montage-Typ
- SMD
- Pinanzahl
- 7
Produktbeschreibung
Dauer-Kollektorstrom max. = 108 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Anzahl an Transistoren = 1
Gehäusegröße = H2PAK-7
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 7
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- IGBT