STMicroelectronics IGBT / 100 A 20V max. , 1200 V 535 W Max. 247

Technische Daten

Anzahl an Transistoren

1

Dauer-Kollektorstrom max.

100 A

Gate-Source Spannung max.

20V

Gehäusegröße

Max. 247

Kollektor-Emitter-Spannung

1200 V

Konfiguration

Single

Verlustleistung max.

535 W