STMicroelectronics G-HEMT P-Kanal, SMD Transistor Erweiterung 700 V / 29 A 188 W, 8-Pin PowerFLAT

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

700V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

80mΩ

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

6.2nC

Gate-Source-spannung max (Vgs)

-6 to 7 V

Gehäusegröße

PowerFLAT

Kabelkanaltyp

P-Kanal

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

29A

Maximale Betriebstemperatur

150°C