STMicroelectronics FDmesh N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 51 A 350 W, 3-Pin TO-247
Technische Daten
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 51 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 600 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 60 mΩ
- Gate-Schwellenspannung max.
- 5V
- Gate-Schwellenspannung min.
- 3V
- Gate-Source Spannung max.
- –25 V, +25 V
- Gehäusegröße
- TO-247
- Höhe
- 20.15mm
Produktbeschreibung
N-Kanal FDmesh™ Leistungs-MOSFET, STMicroelectronics
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059042873795
