STMicroelectronics FDmesh N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 29 A 190 W, 3-Pin TO-247

Name: STMicroelectronics FDmesh N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 29 A 190 W, 3-Pin TO-247
Brand: STMICROELECTRONICS

Marke: STMICROELECTRONICS

Hersteller Artikel-Nr.: STW34NM60ND

Produkt-Nr.: P-CDCW5C

Technische Daten

Channel-Modus: Enhancement
Channel-Typ: N
Dauer-Drainstrom max.: 29 A
Drain-Source-Spannung max.: 600 V
Drain-Source-Widerstand max.: 110 mΩ
Gate-Ladung typ. @ Vgs: 80,4 nC @ 10 Vmm
Gate-Schwellenspannung max.: 5V
Gate-Schwellenspannung min.: 3V
Gate-Source Spannung max.: –25 V, +25 V
Höhe: 20.15mm

Produktbeschreibung

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 29 A
Drain-Source-Spannung max. = 600 V
Serie = FDmesh
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 110 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Gate-Schwellenspannung min. = 3V
Verlustleistung max. = 190 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = –25 V, +25 V
Breite = 5.15mm
Höhe = 20.15mm

N-Kanal FDmesh™ Leistungs-MOSFET, STMicroelectronics