STMicroelectronics FDmesh N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 20 A 214 W, 3-Pin TO-247

Name: STMicroelectronics FDmesh N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 20 A 214 W, 3-Pin TO-247
Brand: STMICROELECTRONICS

Marke: STMICROELECTRONICS

Hersteller Artikel-Nr.: STW20NM60FD

Produkt-Nr.: P-CC2K6Y

Technische Daten

Betriebstemperatur max.: +150 °Cmm
Betriebstemperatur min.: -65 °Cmm
Channel-Modus: Enhancement
Channel-Typ: N
Dauer-Drainstrom max.: 20 A
Drain-Source-Spannung max.: 600 V
Drain-Source-Widerstand max.: 290 mΩ
Gate-Schwellenspannung max.: 5V
Gate-Schwellenspannung min.: 3V
Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V

Produktbeschreibung

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 20 A
Drain-Source-Spannung max. = 600 V
Serie = FDmesh
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Gate-Schwellenspannung min. = 3V
Verlustleistung max. = 214 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Betriebstemperatur max. = +150 °Cmm
Betriebstemperatur min. = -65 °Cmm

N-Kanal FDmesh™ Leistungs-MOSFET, STMicroelectronics