STMicroelectronics FDmesh N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 20 A 192 W, 3-Pin TO-220

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-65 °Cmm

Channel-Modus

Enhancement

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

20 A

Drain-Source-Spannung max.

600 V

Drain-Source-Widerstand max.

290 mΩ

Gate-Schwellenspannung max.

5V

Gate-Schwellenspannung min.

3V

Gate-Source Spannung max.

-30 V, +30 V

Länge

10.4mm