STMicroelectronics FDmesh N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 10 A 90 W, 3-Pin TO-220

Technische Daten

Channel-Modus

Enhancement

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

10 A

Drain-Source-Spannung max.

600 V

Drain-Source-Widerstand max.

450 mΩ

Gate-Schwellenspannung max.

5V

Gate-Schwellenspannung min.

3V

Gate-Source Spannung max.

–25 V, +25 V

Höhe

15.75mm

Montage-Typ

THT