STMicroelectronics FDmesh N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 10 A 25 W, 3-Pin TO-220FP

Name: STMicroelectronics FDmesh N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 10 A 25 W, 3-Pin TO-220FP
Brand: STMICROELECTRONICS

Marke: STMICROELECTRONICS

Hersteller Artikel-Nr.: STF11NM60ND

Produkt-Nr.: P-CCZ3WC

Technische Daten

Channel-Modus: Enhancement
Channel-Typ: N
Dauer-Drainstrom max.: 10 A
Drain-Source-Spannung max.: 600 V
Drain-Source-Widerstand max.: 450 mΩ
Gate-Schwellenspannung max.: 5V
Gate-Schwellenspannung min.: 3V
Gate-Source Spannung max.: –25 V, +25 V
Höhe: 16.4mm
Montage-Typ: THT

Produktbeschreibung

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 10 A
Drain-Source-Spannung max. = 600 V
Serie = FDmesh
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 450 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Gate-Schwellenspannung min. = 3V
Verlustleistung max. = 25 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = –25 V, +25 V
Transistor-Werkstoff = Simm
Höhe = 16.4mm

N-Kanal FDmesh™ Leistungs-MOSFET, STMicroelectronics