STMicroelectronics EVALSTDRV600HB8 Evaluierungsplatine, Demonstration Board IGBT, MOSFET-Treiber

Funktion für Stromüberwachungseinheiten = IGBT, MOSFET-Treiber
Zum Einsatz mit = Hochspannungs-Gate-Ansteuerungen L638xE und L639x
Kit-Klassifizierung = Entwicklungsplatine
Vorgestelltes Gerät = EVALSTDRV600HB8
Kit-Name = Demonstration Board

STMicroelectronics EVALSTDRV600HB8Das STMicroelectronics EVALSTDRV600HB8-Demonstrationsplatinenkit wurde für die Hochspannungs-kompatiblen Gate-Treiber der Serien L638xE und L639x entwickelt und ermöglicht die Evaluierung aller Gate-Treiberfunktionen und -Funktionalitäten beim Steuern einer Halbbrücken-Leistungsstufe basierend auf N-Kanal-MOSFETs oder IGBTs in verschiedenen Gehäusen und mit einer Nennspannung von bis zu 600 V. Wichtige Komponenten wie Filterung und Bootstrap-Kondensator sind bereits auf der Leiterplatte montiert. Die Abmessungen passiver Komponenten sind sowohl mit SMT als auch T kompatibel H. Komponenten, so dass sie eine schnelle und einfache Konfiguration und Änderung ermöglichen. Dieses Demo-Platinenkit wird für die Hochspannungs-Gates L638xE und L639x verwendet.Eigenschaften und Vorteile• ability to drive asymmetrische Halbbrücken und geschaltete Reluktanzmotoren • Active High oder Active Low LIN für einfache Eingangs-Gate-Ansteuerung • Kompakte und vereinfachte Anordnung • Kompatibel mit MOSFETs/IGBTs in DPAK, D2PAK, TO-220, TO-220FP • Dedizierte Hoch- und Niederspannungsseiten-Antriebseingänge • Gate-Treiber im Kit verfügen über verschiedene Funktionen und Eigenschaften • Halbbrücken-Konfiguration • Hochspannungsschiene bis zu 600 V • Integrierte Bootstrap-Diode • Verriegelung für Querleitungsschutz • Interne Totzeit oder keine Totzeit