STMicroelectronics DeepGate, STripFET N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 120 A 300 W, 3-Pin TO-220

Name: STMicroelectronics DeepGate, STripFET N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 120 A 300 W, 3-Pin TO-220
Brand: STMICROELECTRONICS

Marke: STMICROELECTRONICS

Hersteller Artikel-Nr.: STP260N6F6

Produkt-Nr.: P-CC2K6L

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -55 °Cmm
Channel-Modus: Enhancement
Channel-Typ: N
Dauer-Drainstrom max.: 120 A
Drain-Source-Spannung max.: 60 V
Drain-Source-Widerstand max.: 3,7 mΩ
Gate-Schwellenspannung max.: 4V
Gate-Schwellenspannung min.: 2V
Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V
Montage-Typ: THT

Produktbeschreibung

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 120 A
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Serie = DeepGate, STripFET
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 3,7 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 300 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Transistor-Werkstoff = Simm
Betriebstemperatur min. = -55 °Cmm

N-Kanal STripFET™ DeepGate™, STMicroelectronics. STripFET™ MOSFETs mit einem breiten Durchschlagsspannungs-Bereich bieten eine besonders geringe Gate-Ladung und einen niedrigen Einschaltwiderstand.