Semikron Danfoss IGBT-Transistormodul / 300 A ±15.0V max. Dual, 1200 V

Technische Daten

Anzahl an Transistoren

2

Dauer-Kollektorstrom max.

300 A

Gate-Source Spannung max.

±15.0V

Kollektor-Emitter-Spannung

1200 V

Konfiguration

Halbbrücke