Semikron Danfoss IGBT-Transistormodul / 100 A ±15.0V max. , 1200 V
Technische Daten
- Anzahl an Transistoren
- 1
- Dauer-Kollektorstrom max.
- 100 A
- Gate-Source Spannung max.
- ±15.0V
- Kollektor-Emitter-Spannung
- 1200 V
Produktbeschreibung
Dauer-Kollektorstrom max. = 100 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V
Gate-Source Spannung max. = ±15.0V
Anzahl an Transistoren = 1
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- IGBT