Semelab Einfach TetraFET Typ N-Kanal, Oberfläche METAL Gate-HF-Silizium-FET 65 V Erweiterung / 2 A, 8-Pin SOIC

Technische Daten

Ausgangsleistung

5W

Betriebsfrequenz

1 GHz

Betriebstemperatur min.

65°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

65V

Gehäusegröße

SOIC

Höhe

2.18mm

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

2A

Maximale Betriebstemperatur

200°C