ROHM SCT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 1200 V / 17 A 100 W, 7-Pin TO-263
Technische Daten
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 1200V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 160mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- 3.2V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 42nC
- Gate-Source-spannung max (Vgs)
- 22 V
- Gehäusegröße
- TO-263
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 17A
- Maximale Betriebstemperatur
- 175°C
Produktbeschreibung
Der Rohm N-Kanal-Leistungs-MOSFET verfügt über sehr schnelles Schalten und niedrigen Widerstand. Er wird hauptsächlich in Solarwechselrichtern, DC/DC-Wandlern, Motorantreitern und Induktionsheizungen eingesetzt.Einfach anzutreiben Einfach zu parallel
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
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