ROHM SCT N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 38 A, 7-Pin TO-263-7
Technische Daten
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 38 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 650 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 60 mO
- Gate-Schwellenspannung max.
- 5.6V
- Gehäusegröße
- TO-263-7
- Montage-Typ
- SMD
- Pinanzahl
- 7
- Transistor-Werkstoff
- SiC
Produktbeschreibung
Dauer-Drainstrom max. = 38 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Gehäusegröße = TO-263-7
Drain-Source-Widerstand max. = 60 mO
Transistor-Werkstoff = SiC
Der Rohm N-Kanal-Leistungs-MOSFET verfügt über sehr schnelles Schalten und niedrigen Widerstand. Er wird hauptsächlich in Solarwechselrichtern, DC/DC-Wandlern, Motorantreitern und Induktionsheizungen eingesetzt.Einfach anzutreiben Einfach zu parallel
Produktangebot
8,94 €
10,64 € inkl. MwSt. zzgl. Versandkosten
Lieferzeit ca. 2 Tage
Sichere Zahlung
Rechnung
Schneller Versand
etc.
Fragen zum Produkt?
Weitere Angebote
Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
