ROHM SCT N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 21 A, 7-Pin TO-263-7
Technische Daten
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 21 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 650 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 120 mO
- Gate-Schwellenspannung max.
- 5.6V
- Gehäusegröße
- TO-263-7
- Montage-Typ
- SMD
- Pinanzahl
- 7
- Transistor-Werkstoff
- SiC
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 21 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Gehäusegröße = TO-263-7
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 7
Drain-Source-Widerstand max. = 120 mO
Gate-Schwellenspannung max. = 5.6V
Transistor-Werkstoff = SiC
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
