ROHM SCT N-Kanal, SMD MOSFET 1200 V / 23 A, 7-Pin TO-263-7
Technische Daten
- Anzahl der Elemente pro Chip
- 1
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 23 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 1200 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 105 mO
- Gate-Schwellenspannung max.
- 5.6V
- Montage-Typ
- SMD
- Pinanzahl
- 7
- Serie
- SCT
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 23 A
Drain-Source-Spannung max. = 1200 V
Serie = SCT
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 7
Drain-Source-Widerstand max. = 105 mO
Gate-Schwellenspannung max. = 5.6V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Der Rohm N-Kanal-Leistungs-MOSFET verfügt über sehr schnelles Schalten und niedrigen Widerstand. Er wird hauptsächlich in Solarwechselrichtern, DC/DC-Wandlern, Motorantreitern und Induktionsheizungen eingesetzt.Einfach anzutreiben Einfach zu parallel
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
