ROHM RQ7L055BG Typ N-Kanal MOSFET Erweiterung 40 V / 10.7 A 81 W TSMT-8

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

40V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

2.7mΩ

Durchlassspannung (Vf)

1.2V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

7.6nC

Gate-Source-spannung max (Vgs)

20 V

Gehäusegröße

TSMT-8

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

10.7A