ROHM RJ1 Typ N-Kanal 1 MOSFET 150 V Erweiterung / 105 A 181 W, 3-Pin TO-263AB
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 150V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 8.2mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- 1.2V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 130nC
- Gate-Source-spannung max (Vgs)
- 20 V
- Gehäusegröße
- TO-263AB
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 105A
Produktbeschreibung
Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 105A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 150V
Gehäusegröße = TO-263AB
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 8.2mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Betriebstemperatur min. = -55°C
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET