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ROHM RJ1 Typ N-Kanal 1 MOSFET 150 V Erweiterung / 105 A 181 W, 3-Pin TO-263AB

Marke: ROHM

Hersteller Artikel-Nr.: RJ1R10BBHTL1

Produkt-Nr.: P-CZH7YD

Technische Daten

Betriebstemperatur min.
-55°C
Channel-Modus
Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.
150V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
8.2mΩ
Durchlassspannung (Vf)
1.2V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
130nC
Gate-Source-spannung max (Vgs)
20 V
Gehäusegröße
TO-263AB
Kabelkanaltyp
Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
105A

Produktbeschreibung

Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 105A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 150V
Gehäusegröße = TO-263AB
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 8.2mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Betriebstemperatur min. = -55°C
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Anzahl der Elemente pro Chip = 1

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Kennzeichnungen

Artikeltyp
MOSFET