ROHM RJ1 Typ N-Kanal 1 MOSFET 100 V Erweiterung / 170 A 189 W, 3-Pin TO-263AB
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 100V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 3mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- 1.2V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 135nC
- Gate-Source-spannung max (Vgs)
- 20 V
- Gehäusegröße
- TO-263AB
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 170A
Produktbeschreibung
Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 170A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 100V
Serie = RJ1
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 3.0mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs = 135nC
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Normen/Zulassungen = RoHS Compliant
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET