ROHM RJ1 N-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 105 A, 3-Pin TO-263AB
Technische Daten
- Anzahl der Elemente pro Chip
- 1
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 105 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 150 V
- Gehäusegröße
- TO-263AB
- Montage-Typ
- SMD
- Pinanzahl
- 3
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 105 A
Drain-Source-Spannung max. = 150 V
Gehäusegröße = TO-263AB
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Channel-Modus = Enhancement
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
