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ROHM N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 70 A 262 W, 4-Pin TO-247-4

Marke: ROHM

Hersteller Artikel-Nr.: SCT3030ARC14

Produkt-Nr.: P-CC5YB3

Technische Daten

Anzahl der Elemente pro Chip
1
Channel-Modus
Enhancement
Channel-Typ
N
Dauer-Drainstrom max.
70 A
Drain-Source-Spannung max.
650 V
Drain-Source-Widerstand max.
39 mΩ
Gate-Schwellenspannung max.
5.6V
Gate-Schwellenspannung min.
2.7V
Gate-Source Spannung max.
22 V
Gehäusegröße
TO-247-4

Produktbeschreibung

SCT3030AR ist ein SiC MOSFET mit Trenchgate-Struktur, ideal für Servernetzteile, Solarwechselrichter und Ladestationen für Elektrofahrzeuge. Ein 4-poliges Gehäuse, das die Terminal für Stromquelle und Terminal für Treiberquelle trennt, verbessert die Hochgeschwindigkeitsschaltleistung.Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand Schnelle Schaltgeschwindigkeit Schnelle Rückwärtswiederherstellung Einfach zu parallel Einfach anzutreiben Bleifreie Leitungsbeschichtung Hocheffizientes 4-poliges Gehäuse Evaluierungsplatine ″P02SCT3040KR-EVK-001″ Anwendung Solarwechselrichter DC/DC-Wandler Getaktete Netzteile Induktionsheizung Motorantriebe

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Kennzeichnungen

Artikeltyp
MOSFET
GTIN
5059045403074