ROHM N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 39 A, 4-Pin TO-247-4L

Technische Daten

Channel-Modus

Enhancement

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

39 A

Drain-Source-Spannung max.

650 V

Gehäusegröße

TO-247-4L

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

4

Transistor-Werkstoff

SiC