ROHM N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 21 A 103 W, 3-Pin TO-247N
Technische Daten
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 21 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 650 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 158,4 mΩ
- Gate-Schwellenspannung max.
- 5.6V
- Gate-Schwellenspannung min.
- 2.7V
- Gate-Source Spannung max.
- 22 V
- Gehäusegröße
- TO-247N
- Höhe
- 21mm
Produktbeschreibung
Geringer Einschaltwiderstand, schnelle Schaltgeschwindigkeit, schnelle Rückwärtswiederherstellung. Einfach zu parallelisieren, einfach zu anzutreiben, bleifrei beschichtet, RoHS-konform
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059043627861