ROHM N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 70 A, 3-Pin To-247G.
Technische Daten
- Anzahl der Elemente pro Chip
- 1
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 70 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 600 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 0,058 Ω
- Gate-Schwellenspannung max.
- 7V
- Gehäusegröße
- To-247G.
- Montage-Typ
- THT
- Pinanzahl
- 3
Produktbeschreibung
MOSFET
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
