ROHM N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 23 A, 3-Pin TO-3PF

Technische Daten

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Channel-Modus

Enhancement

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

23 A

Drain-Source-Spannung max.

600 V

Gehäusegröße

TO-3PF

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3