ROHM N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 240 A, 3-Pin TO-220AB

Technische Daten

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Channel-Modus

Enhancement

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

240 A

Drain-Source-Spannung max.

60 V

Gehäusegröße

TO-220AB

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3