ROHM N-Kanal, THT MOSFET 40 V / 270 A, 3-Pin TO-220AB

Technische Daten

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Channel-Modus

Enhancement

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

270 A

Drain-Source-Spannung max.

40 V

Gehäusegröße

TO-220AB

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3