ROHM N-Kanal, THT MOSFET 150 V / 105 A, 3-Pin TO-220AB

Technische Daten

Channel-Modus

Enhancement

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

105 A

Drain-Source-Spannung max.

150 V

Gehäusegröße

TO-220AB

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Transistor-Werkstoff

Si