ROHM N-Kanal, THT MOSFET 1200 V / 22 A, 3-Pin TO-247N

Technische Daten

Channel-Modus

Enhancement

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

22 A

Drain-Source-Spannung max.

1200 V

Drain-Source-Widerstand max.

0,16 Ω

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Gehäusegröße

TO-247N

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Transistor-Werkstoff

SiC