ROHM N-Kanal, SMD MOSFET 750 V / 98 A, 7-Pin TO-263-7L

Technische Daten

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Channel-Modus

Enhancement

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

98 A

Drain-Source-Spannung max.

750 V

Gehäusegröße

TO-263-7L

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

7