ROHM N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 50 A, 3-Pin TO-3PF
Technische Daten
- Anzahl der Elemente pro Chip
- 1
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 50 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 600 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 0,083 Ω
- Gate-Schwellenspannung max.
- 7V
- Gehäusegröße
- TO-3PF
- Montage-Typ
- SMD
- Pinanzahl
- 3
Produktbeschreibung
MOSFET
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
