ROHM N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 30 A, 3-Pin TO-3PF

Technische Daten

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

30 A

Drain-Source-Spannung max.

600 V

Drain-Source-Widerstand max.

0,13 Ω

Gate-Schwellenspannung max.

5V

Gehäusegröße

TO-3PF

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3