ROHM N-Kanal, SMD MOSFET 1200 V / 17 A, 7-Pin TO-263-7L

Technische Daten

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Channel-Modus

Enhancement

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

17 A

Drain-Source-Spannung max.

1200 V

Gehäusegröße

TO-263-7L

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

7