ROHM IGBT / 23 A ±30V max. , 650 V 85 W, 3-Pin TO-3PFM N-Kanal

Technische Daten

Channel-Typ

N

Dauer-Kollektorstrom max.

23 A

Gate-Source Spannung max.

±30V

Gehäusegröße

TO-3PFM

Kollektor-Emitter-Spannung

650 V

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Transistor-Konfiguration

Single & Common Emitter

Verlustleistung max.

85 W