ROHM Halbbrücke BSM Typ N-Kanal, Oberfläche SiC-Leistungsmodul 1200 V Erweiterung / 240 A 250 W, 4-Pin
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -40°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 1200V
- Höhe
- 17mm
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 240A
- Länge
- 122mm
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 250W
- Montageart
- Oberfläche
- Normen/Zulassungen
- No
- Pinanzahl
- 4
- Produkt Typ
- SiC-Leistungsmodul
- Serie
- BSM
- Transistor-Konfiguration
- Halbbrücke
Produktbeschreibung
MOSFET
Produktangebot
Sichere Zahlung
Rechnung
Schneller Versand
etc.
Fragen zum Produkt?
Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059043509396