ROHM Halbbrücke BSM Typ N-Kanal, Oberfläche SiC-Leistungsmodul 1200 V Erweiterung / 240 A 250 W, 4-Pin
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -40°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 1200V
- Gate-Source-spannung max (Vgs)
- 22 V
- Höhe
- 17mm
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 240A
- Länge
- 122mm
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 250W
Produktbeschreibung
MOSFET
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059043509396