ROHM BSM Typ N-Kanal 2, SMD SiC-Leistungsmodul 1200 V Erweiterung / 300 A 1875 W, 4-Pin
Technische Daten
- Anzahl der Elemente pro Chip
- 2
- Betriebstemperatur min.
- -40°C
- Breite
- 57.95 mm
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 1200V
- Höhe
- 17mm
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 300A
- Länge
- 152mm
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
Produktbeschreibung
MOSFET
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059043712710