ROHM BSM N-Kanal Dual, SMD SiC-Leistungsmodul 1200 V / 300 A 1875 W, 4-Pin C
Technische Daten
- Anzahl der Elemente pro Chip
- 2mm
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 300 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 1200 V
- Gate-Schwellenspannung max.
- 4V
- Gate-Schwellenspannung min.
- 1.6V
- Höhe
- 17mm
- Montage-Typ
- SMD
- Pinanzahl
- 4
Produktbeschreibung
MOSFET
Produktangebot
863,91 €
1.028,05 € inkl. MwSt. zzgl. Versandkosten
Lieferzeit ca. 2 Tage
Sichere Zahlung
Rechnung
Schneller Versand
etc.
Fragen zum Produkt?
Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059043712710
