ROHM BSM N-Kanal Dual, SMD SiC-Leistungsmodul 1200 V / 180 A 880 W, 4-Pin C
Marke: ROHM
Hersteller Artikel-Nr.: BSM180D12P3C007
Produkt-Nr.: P-CGNZ7P
Technische Daten
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 180 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 1200 V
- Gate-Schwellenspannung max.
- 5.6V
- Gate-Schwellenspannung min.
- 2.7V
- Höhe
- 17mm
- Länge
- 122mm
- Montage-Typ
- SMD
- Pinanzahl
- 4
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 180 A
Drain-Source-Spannung max. = 1200 V
Serie = BSM
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 4
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5.6V
Gate-Schwellenspannung min. = 2.7V
Verlustleistung max. = 880 W
Länge = 122mm
Höhe = 17mm
Produktangebot
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Nicht vorrätigZustand: Neu
Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059043681450