ROHM BSM N-Kanal Dual, SMD SiC-Leistungsmodul 1200 V / 180 A 880 W, 4-Pin C

Technische Daten

Breite

45.6mm

Channel-Modus

Enhancement

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

180 A

Drain-Source-Spannung max.

1200 V

Gate-Schwellenspannung max.

5.6V

Gate-Schwellenspannung min.

2.7V

Höhe

17mm

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

4